函館電子株式会社

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製造プロセス紹介

函館電子株式会社は半導体後工程のＩＣ一貫製造で培った技術で、金のスタッドバンプ加工を中心に半導体の組立加工を行っております。

スタッドバンプ Stud Bump

Ａｕスタッドバンプ

  • Si、水晶、GaAsウエハーチップ個片
  • ウエハサイズ (Max８インチ)
  • バンプピッチ (Min ３０μm)

ダイシング dicing

ダイシング

  • シリコンウエハー(Max ８インチ)
  • 水晶

ダイソート Die Sorting

ダイソート

  • ウエハー(Max ８インチ)
  • ２インチ,３インチトレー

ダイボンディング Die Bonding

ダイボンディング

  • SiチップGaAsチップ
  • 水晶
  • ２インチ,３インチトレー対応

ワイヤボンディング Wire Bonding

ワイヤボンディング

  • チップ :　Si・水晶・GaAs
  • ワイヤ :　Au
  • 基　板 :　ガラエポ・セラミック

LEDチップ プローブ LED chip probe

LEDチップ プローブ

  • 上面・上下電極　２〜６インチ
  • 裏面　２〜４インチ
  • 積分球　２〜４インチ
    ※電気諸特性・輝度・波長測定・ＥＳＤ検査

LEDチップ ソート LED chip Sort

LEDチップ　ソート

  • シートリング配列　１００分類
  • ２〜６インチ

技術紹介

小型・高密度実装技術のＦ/Ｃ:フリップチップ接合において、当社ではファインピッチの金スタッドバンプにチャレンジしております。

最前列は直径25umバンプ

函館電子株式会社では、Auスタッドバンプの極小径の限界に挑戦しております。

バンプ径比較 Comparison of the squashed size

バンプ径比較

◎バンプ圧着径(バンプピッチ)

  • 88μm(90μm)
  • 61μm70μm)
  • 51μm(60μm)
  • 40μm(50μm)
  • 25μm(28μm) ※写真上から下へ

バンプピッチ比較 Comparison of the bonding pitch

バンプピッチ配列

◎バンプピッチ

  • 36μm
  • 34μm
  • 32μm
  • 30μm
  • 28μm ※写真上から下へ

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